RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 567–573 (Mi phts6503)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования

И. С. Васильевскийa, С. С. Пушкаревab, М. М. Греховa, А. Н. Виниченкоa, Д. В. Лаврухинb, О. С. Коленцоваa

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва

Аннотация: Работа посвящена поиску новых возможностей характеризации особенностей кристаллической структуры с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Особое внимание уделяется режиму сканирования поперек вектора дифракции ($\omega$-сканирование), поскольку исследователи обычно уделяют этому режиму мало внимания и его возможности остаются не полностью выявленными. Для кристаллографических направлений [011] и [01$\bar1$] сопоставлены полуширина $\omega$-пика и средний угол наклона профиля поверхности образца. Также исследуются диагностические возможности картографирования рассеяния рентгеновского излучения. Объектами исследования являются полупроводниковые наногетероструктуры с квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAlAs и с метаморфным буфером In$_{x}$Al$_{1-x}$As, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP и GaAs. Наногетероструктуры подобного типа используются при изготовлении микроволновых транзисторов и монолитных интегральных схем. Для более полной характеризации объектов были использованы эффект Холла, атомно-силовая микроскопия, низкотемпературная спектроскопия фотолюминесценции при 79 K.

Поступила в редакцию: 29.09.2015
Принята в печать: 07.10.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 559–565

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024