Г. Е. Яковлев, Д. С. Фролов, А. В. Зубкова, Е. Е. Левина, В. И. Зубков, А. В. Соломонов, О. К. Стерлядкин, С. А. Сорокин, “Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3,страницы 324

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования

Г. Е. Яковлев^a, Д. С. Фролов^a, А. В. Зубкова^a, Е. Е. Левина^b, В. И. Зубков^a, А. В. Соломонов^a, О. К. Стерлядкин^b, С. А. Сорокин^b

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
^b АО "ЦНИИ "Электрон", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы имплантированные бором кремниевые структуры для ПЗС-матриц с обратной засветкой. Исследовалась серия специально подготовленных структур с различными энергией и дозой имплантации, а также с покровными слоями из алюминия, оксида кремния и их комбинации. Экспериментально получены профили распределения основных носителей заряда по глубине исследуемых структур. Также с использованием уравнения Пуассона и уравнения Фредгольма первого рода проведен расчет распределения концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля в структурах. На основе анализа и сопоставления теоретических и экспериментальных концентрационных профилей предложены рекомендации по оптимизации параметров структур для увеличения значения тянущего поля и уменьшения влияния поверхностного потенциала на транспорт носителей заряда.

Поступила в редакцию: 24.06.2015
Принята в печать: 08.07.2015