Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения

Приводятся результаты экспериментального исследования параметров GaN и GaAs структур до и после $\gamma$-нейтронного облучения. Предложен специальный набор тестовых диодов, позволяющих снизить погрешность результатов измерений параметров структур, что важно для проектирования и оптимизации конструкции полупроводниковых приборов.