RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 4, страницы 653–656 (Mi phts652)

К вопросу об измерении релаксации емкости в спектроскопии глубоких уровней

В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, Г. М. Мозок


Аннотация: Проведен анализ применимости известных ранее методов измерения релаксации емкости на структурах с низкой добротностью. Рассмотрена эквивалентная схема обратно смещенного $p{-}n$-перехода (барьера Шоттки) с измерительным трактом релаксационного спектрометра. Предложен универсальный подход для точного измерения и вычисления релаксации емкости, когда нельзя пренебречь проводимостью (или ее релаксацией) слоя объемного заряда и сопротивлением базы. Проведена экспериментальная проверка на структурах с измеренной эквивалентной схемой другими методами. Показано, что использование предложенного приема позволяет повысить точность определения основных параметров глубоких центров.



© МИАН, 2024