RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 398–407 (Mi phts6523)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом

А. И. Гусевab, С. К. Любутинa, С. Н. Рукинa, С. Н. Цырановab

a Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет

Аннотация: Исследован процесс переключения силовых тиристоров из блокирующего в проводящее состояние импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах использовались низкочастотные тиристоры таблеточной конструкции с рабочим напряжением 2 кВ. На основные электроды тиристора подавался внешний импульс, обеспечивающий скорость нарастания напряжения в диапазоне 0.5–6 кВ/нс. В этих условиях время перехода тиристора в проводящее состояние находилось в диапазоне 200–400 пс. Найдены эмпирические соотношения, связывающие основные характеристики процесса переключения: напряжение включения, время нарастания импульса до переключения и время перехода в проводящее состояние. Численное моделирование показало, что для объяснения полученных результатов необходим учет процесса ионизации глубоких технологических дефектов.

Поступила в редакцию: 08.09.2015
Принята в печать: 09.09.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:3, 394–403

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024