RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 162–166 (Mi phts6531)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Поверхностный фотогальванический эффект в многодолинном полупроводнике во внешнем магнитном поле

В. Р. Расулов, Р. Я. Расулов

Ферганский государственный университет

Аннотация: Построена теория фотогальванического эффекта в полубесконечном многодолинном полупроводнике, возникающего при поглощении поляризованного света на свободных носителях, вызываемого при зеркальном и диффузном рассеяниях электронов на поверхности пленки. Использован метод кинетического уравнения Больцмана в приближении времени релаксации и граничных условий, определяющих связь между функцией распределения отраженных от поверхности полубесконечного кристалла электронов и функцией распределения электронов, падающих на поверхность как при зеркальном, так и при диффузном рассеянии, где учтено, что функция распределения диффузно рассеянных от поверхности электронов зависит только от их энергии и определяется из условия обращения в нуль полного потока электронов на поверхности. Получены соотношения, с помощью которых можно анализировать спектральную зависимость тока, линейно зависящего от напряженности магнитного поля.

Поступила в редакцию: 15.01.2015
Принята в печать: 10.04.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:2, 162–166

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024