Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

Проанализировано образование дрейфовых барьеров в эпитаксиальных слоях твердого раствора GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$ с концентрацией носителей заряда ${n\approx10^{14}\,\text{см}^{-3}}$ при перекрытии слоев обеднения вокруг высокоомных областей, обусловленных коррелированным распределением примесей. Показано, что амплитуда дрейфовых барьеров определяет величину сопротивления базовой области $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$.