Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$

Проведены исследования возможности моделирования переходных радиационных эффектов с использованием лазерного излучения в СВЧ гетероструктурных элементах на основе полупроводниковых соединений А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$. Приведены результаты лазерного моделирования переходных радиационных эффектов в псевдоморфных НЕМТ (pHEMT) на гетероструктуре AlGaAs/InGaAs/GaAs. Показано, что для адекватного моделирования переходных эффектов в приборах на подложках GaAs следует использовать лазерное излучение с длиной волны $\lambda$ = 880–900 нм с учетом доминирующих механизмов ионизации в областях транзисторов.