Полевой транзистор с двумерными системами носителей в затворе и канале

Рассмотрено применение эффекта резонансного туннелирования носителей в транзисторах. Показано, что использование резонансного характера туннелирования позволяет снизить токи утечки, которые являются одной из основных причин кризиса в развитии транзисторов на сегодняшний день. В работе предложен новый тип полевых транзисторов с затвором и каналом на основе двумерных систем носителей. Рассмотрены перспективы дальнейшей миниатюризации транзисторов. Для транзисторов с резонансным туннелированием чрезмерная миниатюризация подавляет резонансное туннелирование носителей и, таким образом, увеличивает токи утечки.