Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, М. В. Коновалов, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2,страницы 241

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре

Н. А. Соболев^a, А. Е. Калядин^a, М. В. Коновалов^a, П. Н. Аруев^a, В. В. Забродский^a, Е. И. Шек^a, К. Ф. Штельмах^ab, А. Н. Михайлов^c, Д. И. Тетельбаум^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследованы кремниевые светодиоды, изготовленные с помощью имплантации ионов Si и газофазного осаждения. В светодиодах на основе $n$-Si наблюдается дислокационная электролюминесценция при комнатной температуре. В светодиодах на основе $p$-Si электролюминесценция гаснет при температурах выше 220 K. Измерены эффективности возбуждения электролюминесценции $D$1 линии при комнатной температуре, а также $D$1 и $D$4 линий при температуре жидкого азота.

Поступила в редакцию: 04.06.2015
Принята в печать: 12.06.2015