В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2,страницы 245

Эта публикация цитируется в 23 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования

В. Г. Тихомиров^ab, В. Е. Земляков^bc, В. В. Волков^b, Я. М. Парнес^b, В. Н. Вьюгинов^b, В. В. Лундин^de, А. В. Сахаров^de, Е. Е. Заварин^ed, А. Ф. Цацульников^ed, Н. А. Черкашин^f, М. Н. Мизеров^d, В. М. Устинов^e

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
^c Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
^d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^f CEMES-CNRS – Université de Toulouse, Toulouse, France

Аннотация: Проведены численное моделирование, а также расчетная и экспериментальная оптимизация полевых СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaN/AlN/AlGaN. Результаты выполненных исследований показали, что оптимальные значения толщин и составов слоев гетероструктур, позволяющих реализовать высокую мощность в СВЧ диапазоне, лежат в относительно узких пределах. Проведенные исследования показали возможность эффективного использования численного моделирования для разработки СВЧ HEMT с учетом основных физических явлений и особенностей реальных приборных конструкций.

Поступила в редакцию: 11.06.2015
Принята в печать: 17.06.2015