Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства

Исследованы $n^{+}$–$p$–$p^{+}$-светодиоды на основе SiGe, сильно легированные слои в которых изготовлены по диффузионной (диффузия бора и фосфора) и газофазной (нанесение слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором, путем газофазного осаждения) технологиям. Спектры электролюминесценции обоих типов светодиодов идентичны, однако интенсивность в диодах газофазной технологии ниже в $\sim$20 раз. В диодах газофазной технологии по сравнению с диффузионными наблюдалось существенное увеличение обратных и прямых токов. Ухудшение люминесцентных и электрофизических характеристик газофазных диодов обусловлено образованием дефектов на границе между эмиттерным и базовым слоями.