RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 269–273 (Mi phts6551)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$

Р. Г. Валеевa, Д. И. Петуховba, А. И. Чукавинa, А. Н. Бельтюковa

a Физико-технический институт Уральского отделения Российской Академии наук
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах

Аннотация: Предложен новый нанокомпозитный материал для перспективных электролюминесцентных источников света: легированный медью сульфид цинка, осажденный методом вакуумно-термического напыления в матрицы анодного оксида алюминия. Проведено исследование структуры химических связей, что позволило определить механизмы, ответственные за появление в данных материалах УФ-фотолюминесценции и электролюминесценции в электрическом поле с амплитудой 220 В и частотой 50 Гц. Это позволит использовать предложенный нанокомпозит в электролюминесцентных источниках света, включенных в обычную электрическую сеть.

Поступила в редакцию: 19.06.2015
Принята в печать: 09.07.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:2, 266–270

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024