RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 51–54 (Mi phts6562)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Оптические свойства тонких пленок PbS

О. Р. Ахмедовa, М. Г. Гусейналиевa, Н. А. Абдуллаевb, Н. М. Абдуллаевb, С. С. Бабаевb, Н. А. Касумовb

a Нахчыванское отделение Национальной академии наук Азербайджана, Нахчывань, Азербайджан
b Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Методом спектроскопической эллипсометрии исследована комплексная диэлектрическая функция тонких пленок PbS в спектральном диапазоне 0.74–6.45 эВ при температуре 293 K. Определены значения критических энергий, равные соответственно $E_{1}$ = 3.53 и $E_{2}$ = 4.57 эВ. Лучшая подгонка для обоих энергетических областей получилась в критической точке 2D ($m$ = 0). Также исследованы спектры комбинационного рассеяния света и спектры оптического поглощения в тонких пленках PbS. Из зависимости $(\alpha h\nu)^{2}$ от $h\nu$ установлена ширина запрещенной зоны PbS: $E_{g}$ = 0.37 эВ.

Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 26.03.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:1, 50–53

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024