RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 6, страницы 489–492 (Mi phts6577)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца

М. К. Бахадырхановa, С. Б. Исамовa, Н. Ф. Зикриллаевa, М. О. Турсуновb

a Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекиста
b Термезский государственный университет, 190111 Термез, Узбекистан

Аннотация: Показано, что в кремнии с нанокластерами атомов марганца наблюдается ряд аномальных фотоэлектрических явлений, таких как примесная остаточная фотопроводимость с большим временем релаксации, инфракрасное гашение фотопроводимости при отсутствии собственного фонового света, гигантская примесная фотопроводимость и примесная суперлинейная ватт-амперная характеристика, связанные с наличием нанокластеров атомов марганца. Природу этих явлений невозможно объяснить существующей теорией фотопроводимости. Такие материалы могут быть использованы для создания новых типов фотоэлектрических приборов.

Ключевые слова: кремний, марганец, нанокластер, ИК гашение, фотопроводимость, фотоотклик.

Поступила в редакцию: 27.09.2020
Исправленный вариант: 15.02.2020
Принята в печать: 19.02.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.06.50912.9259


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:6, 542–545

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024