Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью на основе твердых растворов InAsSb и квантовых ям (КЯ) InAsSb/InAs, InAsSb/InAsSbP в интервале температур 4.2–300 K. Определены механизмы протекания тока в зависимости от температуры и параметров слоев гетероструктуры. Показано, что при температурах, близких к 300 K, ток обусловлен диффузионным и рекомбинационным механизмами, в интервале температур 4.2–77 K оказывается существенным вклад туннельного механизма. Для гетероструктуры InAs/InAs/InAs$_{0.15}$Sb$_{0.31}$P$_{0.54}$ установлено возникновение дополнительного канала протекания тока. Показано, что введение 108 КЯ InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAs в активную область гетероструктуры приводит к увеличению токов утечки через гетеропереход во всем рассмотренном диапазоне температур, что, вероятно, связано с туннелированием носителей заряда.