RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 6, страницы 513–517 (Mi phts6581)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC

С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы причины, приводящие к появлению зеленой окраски кристаллов AlN, выращиваемых методом сублимации на затравках SiC. Методом вторичной ионной масс-спектроскопии показано, что цвет кристаллов слабо зависит от содержания кремния и углерода, а зеленая или темная окраска возникает только при повышенном содержании углерода по сравнению с кремнием. Методом комбинационного рассеяния света установлено присутствие в этих кристаллах отдельной фазы аморфного углерода. Выделение фазы углерода в процессе роста кристаллов затрудняет получение качественных кристаллов AlN, а также твердых растворов AlN-SiC. Анализируется влияние условий роста на оптические свойства кристаллов AlN.

Ключевые слова: кристалл AlN, затравка SiC, зеленая или темная окраска, аморфный углерод.

Поступила в редакцию: 19.02.2021
Исправленный вариант: 25.02.2021
Принята в печать: 25.02.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.06.50919.9635


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:6, 546–550

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024