RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 4, страницы 684–687 (Mi phts659)

Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа, легированного магнием

И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев


Аннотация: Методом DLTS исследован кремний $n$-типа, легированный магнием при высокотемпературной диффузии. После диффузии в верхней половине запрещенной зоны наблюдаются уровни $E_{c}{-}0.18$, $E_{c}{-}0.25$, $E_{c}{-}0.38$, $E_{c}{-}0.40$ эВ, принадлежащие разным дефектным центрам, содержащим магний. Анализ спектров позволил сделать вывод, что дефекты, которым соответствуют уровни $E_{c}{-}0.25$ и $E_{c}{-}0.40$ эВ, собраны в скопления. Их формирование и перестройки продолжаются и при комнатной температуре. Центр с уровнем $E_{c}{-}0.38$ эВ стабилен при комнатной температуре.



© МИАН, 2024