Алгоритм построения диффузионных примесных профилей в полупроводниках с помощью графов

Работа посвящена развитию аппарата теории диффузионных примесных профилей в полупроводниках. Вводится понятие «триггера реакции», с помощью которого по системе квазихимических реакций определяются все возможные типы диффузионных примесных профилей. Развитый подход иллюстрируется на примере анализа механизма диффузии фосфора в кремний.