Двухлучевой лазерный отжиг полупроводников

С использованием метода математического моделирования и численных расчетов на ЭВМ исследованы закономерности двухлучевого импульсного лазерного отжига (ИЛО) полупроводников на примере InSb и GaAs. Выделены основные режимы такого отжига, названные «двухимпульсным» и «двухволновым». Показано, что в случае «двухимпульсного» режима управления временно́й задержкой между импульсами $\Delta\tau$ и соотношением их энергий $W_{1}/W_{2}$ можно активно влиять на важнейшие стадии ИЛО: плавление, стадию существования расплава, кристаллизацию, охлаждение. При этом достигаемыми эффектами являются снижение скорости кристаллизации и охлаждения, возможность управления временем существования расплава, снижение перегрева расплава. Продемонстрирована возможность применения «двухволнового» режима при воздействии двух импульсов разных длин волн ${h\nu_{1}>E_{g}}$, ${h\nu_{2}<E_{g}}$,${W_{1}<W_{2}}$ для эффективного отжига широкозонных полупроводников. Дополнение «двухволнового» отжига временно́й задержкой $\Delta\tau$ позволяет создавать в полупроводнике управляемые температурные поля и поля температурных градиентов.