О кинетике образования оборванных связей в пленках $a$-Si : Н

В слабо легированных и нелегированных пленках $a$-Si : Н были исследованы темновая проводимость $\sigma_{\text{т}}$ ее энергия активации $E_{\text{а}}$ и фотопроводимость $\sigma_{\text{ф}}$ в зависимости от времени предварительного освещения белым светом. Исследования проводились при температурах 170$-$350 K. Полученные зависимости $\sigma_{\text{ф}}(t)$ объясняются в рамках модели образования оборванных связей под влиянием освещения.