$N$-образная вольтамперная характеристика при электропоглощении в двойной гетероструктуре

Приведены результаты экспериментального исследования спектральной зависимости фототока двойной $P^{+}{-}n^{0}{-}N^{+}$-гетероструктуры при различных высоких значениях напряженности электрического поля в узкозонной поглощающей области. Показано, что зависимость тока структуры от приложенного смещения при освещении ее квантами света с энергией, незначительно превышающей ширину запрещенной зоны узкозонного слоя, имеет $N$-образную форму.