Поглощение света в квантовых полупроводниковых слоях и сверхрешетках в присутствии сильных электрических полей

Исследованы особенности спектральных характеристик линейного внутризонного поглощения света в квантовых сверхрешетках (CP) в присутствии сильного постоянного электрического поля. Рассмотрены случаи низкой и высокой вероятности межминизонного туннельного пробоя структуры. Спектр поглощения света в CP в электрическом поле трансформируется в серию резонансных пиков, поведение которых определяется как величиной поля, так и туннельной прозрачностью барьеров системы. Показана возможность наблюдения дополнительного расщепления резонансных линий вследствие снятия вырождения при резонансном туннелировании электронов между состояниями различных минизон. Проведено сравнение линейных спектров поглощения квантовой CP в постоянном электрическом поле и отдельной квантовой полупроводниковой пленки в сильном высокочастотном поле накачки.