RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страница 1192 (Mi phts6668)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Optimal estimation of Schottky diode parameters using advanced swarm intelligence algorithms

A. Rabehiab, B. Nailb, H. Helala, A. Douarab, A. Zianea, M. Amrania, B. Akkala, Z. Benamaraa

a Laboratoire de Micro-électronique Appliquée, Université Djillali Liabés de Sidi Bel Abbès, BP 89, 22000, Sidi Bel Abbès, Algeria
b Institute of Science and Technology, Tissemsilt University Center, 38000 Tissemsilt, Algeria

Аннотация: This work deals with estimation of the Schottky diode (Au|GaN|GaAs) optimal parameters. For this purpose, advanced swarm intelligence (SI) algorithms have been applied, i. e., Harris hawks optimization, ant lion optimizer (ALO), grey wolf optimizer, and whale optimization algorithm. The performance of the SI algorithms has been investigated by a comparative study following the analytical methods developed by Kaminski I, Cheung and Cheung, Norde, and Mikhelashvili. The comparative results show that the ALO algorithm gives minimum RMSE criteria, with best parameters estimation against all the SI optimizers and the analytical techniques.

Ключевые слова: Schottky diodes, Au|GaN|GaAs, swarm intelligence algorithms, parameters estimation, barrier height.

Поступила в редакцию: 11.05.2020
Исправленный вариант: 11.05.2020
Принята в печать: 06.07.2020

Язык публикации: английский


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:11, 1398–1405


© МИАН, 2024