RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 4, страницы 728–729 (Mi phts668)

Краткие сообщения

О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al$^{+}$ и P$^{+}$

И. С. Ташлыков, Т. В. Поздеева, З. Кальбитцер




© МИАН, 2024