RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 4,
страницы
728–729
(Mi phts668)
Краткие сообщения
О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al
$^{+}$
и P
$^{+}$
И. С. Ташлыков
, Т. В. Поздеева
, З. Кальбитцер
Полный текст:
PDF файл (322 kB)
©
МИАН
, 2024