Кинетика затухания фотолюминесценции в стеклообразных полупроводниках

Теоретически исследуется кинетика затухания фотолюминесценции в стеклообразных полупроводниках. Степенной спад интенсивности со временем интерпретируется в рамках традиционной модели туннельных излучательных переходов. Основной результат состоит в интерпретации экспоненциального спада интенсивности при больших временах. Этот спад связывается с безызлучательной рекомбинацией. Наличие одного характерного времени в системе объясняется адиабатическим характером безызлучательных переходов.