RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 1, страницы 14–20 (Mi phts6711)

Электронные свойства полупроводников

Параметры динамической поляризации ядер As в кремнии при низких температурах и сильных магнитных полях

М. Б. Лифшиц, В. А. Грабарь, Н. С. Аверкиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Теоретически описан солид-эффект в структуре Si : As в условиях электронно-парамагнитного резонанса при низких температурах и в сильных магнитных полях. Проведено количественное сопоставление результатов расчета динамической поляризации ядер As в кремнии по механизму Оверхаузера и солид-эффекта с экспериментальными данными. Продемонстрировано хорошее согласие теории и эксперимента и определен ключевой параметр эффектов, время кросс-релаксационных переходов, который для атома As оказался $\sim$10 с.

Ключевые слова: ЭПР, солид-эффект, эффект Оверхаузера, флип-флоп переходы, кремний.

Поступила в редакцию: 14.02.2024
Исправленный вариант: 27.02.2024
Принята в печать: 28.02.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.01.57630.6031


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2024, 58:1, 46–52

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025