RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 1, страницы 21–27 (Mi phts6712)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Полярные оптические фононы в сверхрешетках Si/SiO$_2$

М. Б. Смирновa, Н. Р. Григорьеваa, Д. В. Панькинa, Е. М. Рогинскийb, А. В. Савинb

a Санкт-Петербургский государственный университет, 194034 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучены диэлектрические свойства планарных гетероструктур Si/SiO$_2$, играющих важную роль в современной электронике. С применением модели диэлектрического континуума исследованы спектры полярных оптических фононов в бинарных сверхрешетках Si/SiO$_2$. В качестве структурной модели оксидного слоя рассмотрены решетки кварца и кристобалита. Получены зависимости частот полярных оптических фононов и значения элементов тензора высокочастотной диэлектрической проницаемости от отношения толщин слоев. Полученные результаты открывают возможность использования спектроскопических данных для характеризации структуры сверхрешеток.

Ключевые слова: оксид-полупроводниковые гетероструктуры, сверхрешетки, компьютерное моделирование, модель диэлектрического континуума, колебательные спектры.

Поступила в редакцию: 26.12.2023
Исправленный вариант: 20.01.2024
Принята в печать: 20.01.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.01.57631.5900


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2024, 58:5, 457–463

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025