Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления

Исследованы излучатели в виде микролинеек оптически изолированных одномодовых лазеров на основе гетероструктуры с двойной асимметрией, работающие в условиях накачки субнаносекундными импульсами тока. Для микролинеек с различной плотностью заполнения излучающей апертуры продемонстрирован эффект разброса времени задержки включения различных полосков, при этом максимальная разница достигала 50 пс. В режиме модуляции усиления разработанные конструкции микролинеек позволили получать устойчивую генерацию на нулевой моде. При накачке токовыми импульсами длительностью 0.4 нс для микролинейки из 10 излучателей шириной по 6 мкм и периодом 20 мкм продемонстрирована возможность генерации импульсов пиковой мощностью 3 Вт и длительностью 140 пс.