Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом

Исследованы микродисковые лазеры диаметром 30 и 40 мкм с активной областью на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, латерально сопряженные с оптическим волноводом. Микролазеры и волноводы были изготовлены в едином процессе на одной подложке GaAs. Проведено исследование спектральных характеристик при протекающих через микролазер и (или) волновод токах инжекции, превышающих порог генерации до 4 раз. Показана возможность снижения потерь на поглощение в волноводе с помощью приложения к нему прямого смещения. Реализована оптопара, в которой источником излучения служит микродисковый лазер, сопряженный с волноводом, а приемником излучения – волноводный фотодетектор. Плотность темнового тока волноводного фотодетектора составила 1.1 мкА/см$^2$ при обратном смещении -6 В.