Низкотемпературные обработки поверхности CdHgTe методом PE-ALD перед осаждением HfO$_2$

В настоящее время актуальной задачей остается развитие методов пассивации поверхности узкозонных полупроводников, в частности CdHgTe. Одним из перспективных защитных и пассивирующих диэлектриков является оксид гафния. В работе рассмотрено влияние нескольких способов подготовки поверхности CdHgTe, осуществляемых в установке плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PE-ALD) непосредственно перед нанесением тонких пленок HfO$_2$, на электрофизические параметры формируемой границы раздела диэлектрик-полупроводник. Произведен расчет величин плотности встроенного заряда и медленных ловушечных состояний, оценено изменение концентрации доноров в приповерхностной области полупроводника. Проведено исследование химического состава формируемых промежуточных покрытий.