RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 4, страницы 192–195 (Mi phts6739)

XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Электронные свойства топологического изолятора Sb$_2$Te$_2$Se

Ю. Е. Коваленкоa, М. В. Якушевabc, В. И. Гребенниковa, М. Орлитаd, С. Г. Титоваe, К. А. Кохfgh, О. Е. Терещенкоhi, Т. В. Кузнецоваac

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 620108 Екатеринбург, Россия
b Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук, 620990 Екатеринбург, Россия
c Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
d Национальная лаборатория сильных магнитных полей (LNCMI), 38042 Cedex 9 Гренобль, Франция
e Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук, 620016 Екатеринбург, Россия
f Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
g Кемеровский государственный университет, 650000 Кемерово, Россия
h Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
i Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Структурные и электронные свойства тонких слоев монокристаллов топологического изолятора Sb$_2$Te$_2$Se исследовались методами рентгеновской дифракции и магнитооптической спектроскопии. В спектрах пропускания, измеренных при 4.2 K, обнаружен резкий край полосы поглощения, а также осцилляции Фабри–Перо, позволившие оценить ширину запрещенной зоны $E_g\approx$ 374 мэВ и коэффициент преломления $n\approx$ 8.5. Приложение магнитного поля с напряженностью до 11 Тл привело к существенному уменьшению амплитуды осцилляций, что было связанно с эффектом Фарадея. Оценена поcтоянная Верде $V\approx$ 10$^3$ град/см $\cdot$ Тл.

Ключевые слова: топологический изолятор, Sb$_2$Te$_2$Se, магнитооптика, спектр пропускания.

Поступила в редакцию: 15.04.2024
Исправленный вариант: 20.06.2024
Принята в печать: 20.06.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.04.58543.6332H



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025