Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)

Изучены статистические распределения тока в серии транзисторных структур с двумерными пленками графена поверх изолирующего слоя фторида кальция, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотренное сочетание материалов является новым в данной сфере. Полученные характеристики структур оказались в достаточной мере привлекательными, а величины вариации их параметров (дисперсия тока стока, разброс положения точки зарядовой нейтральности по току и напряжению) вполне допустимыми. Исследования в указанной области значимы для развития “двумерной” электроники, основанной на транзисторах, прототипами которых служат структуры обсуждаемого типа.