Пассивация поверхностей AlGaAs(100) растворами сульфида аммония

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовалось взаимодействие покрытых слоем естественного окисла поверхностей Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) с различными растворами сульфида аммония. Показано, что наиболее эффективное удаление слоя естественного окисла и химическая пассивация достигаются при обработке поверхности разбавленным водным раствором сульфида аммония с концентрацией $\sim$4%, приготовленным из так называемого естественно “состаренного” коммерческого раствора. Обработанная поверхность содержит небольшое количество элементарного мышьяка и остаточных оксидов галлия и алюминия и покрыта пассивирующим слоем сульфидов мышьяка. В процессе обработки раствором той же концентрации, но приготовленным из “свежего” сульфида аммония, атомы серы практически не адсорбируются на поверхности полупроводника и формирования сульфидов мышьяка не происходит. Показано, что в результате взаимодействия как концентрированного ($\sim$44%) “состаренного” водного раствора сульфида аммония, так и $\sim$4% раствора “состаренного” сульфида аммония в изопропиловом спирте происходит нарушение стехиометрии приповерхностной области твердого раствора за счет вымывания атомов галлия с поверхности, в результате чего происходит образование сравнительно толстого слоя оксида алюминия.