RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 6, страницы 313–317 (Mi phts6758)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

А. А. Харченкоa, А. М. Надточийab, Ю. М. Шерняковc, Н. Ю. Гордеевc, А. С. Паюсовc, А. А. Бекманc, Г. О. Корнышовc, О. И. Симчукa, Ю. А. Салийc, М. М. Кулагинаc, С. А. Минтаировc, Н. А. Калюжныйc, М. В. Максимовa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990–1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах достигает 22 дБ при значении тока накачки 57 мА на длине волны 1040 нм, при этом в полосе 1010–1075 нм значение коэффициента усиления составляет не менее 10 дБ.

Ключевые слова: квантовые яма-точки, полупроводниковые оптические усилители, ток прозрачности.

Поступила в редакцию: 29.07.2024
Исправленный вариант: 09.08.2024
Принята в печать: 15.08.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.06.58945.6937



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025