RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 6, страницы 326–332 (Mi phts6760)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$$n$$n^+$-структуре

А. Ф. Кардо-Сысоевa, М. Н. Черенёвab, А. Г. Люблинскийa, И. А. Смирноваa, Ш. А. Юсуповаa, Е. И. Беляковаa, М. И. Векслерa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана новая методика измерения быстропротекающих процессов в полупроводниковых диодах, переключающихся в проводящее состояние путем подачи высоковольтного быстронарастающего импульса, при высоких значениях приложенного постоянного напряжения. Исследованы процессы задержанной ударной ионизации в структурах $p^+$$n$$n^+$-типа с толщинами базовых $n$-областей порядка 100 и 410 мкм. Экспериментально показано улучшение характеристик переключения при увеличении как постоянной составляющей обратного смещения, так и скорости нарастания приложенного импульса напряжения для структур с толстой базой. Достигнута скорость переключения одиночной структуры 42.7 кВ/нс.

Ключевые слова: диодный лавинный обостритель (ДЛО), задержанная ударная ионизация, субнаносекундные импульсы напряжения, силовые диоды.

Поступила в редакцию: 24.07.2024
Исправленный вариант: 14.08.2024
Принята в печать: 14.08.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.06.58947.6925



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025