Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре

Разработана новая методика измерения быстропротекающих процессов в полупроводниковых диодах, переключающихся в проводящее состояние путем подачи высоковольтного быстронарастающего импульса, при высоких значениях приложенного постоянного напряжения. Исследованы процессы задержанной ударной ионизации в структурах $p^+$–$n$–$n^+$-типа с толщинами базовых $n$-областей порядка 100 и 410 мкм. Экспериментально показано улучшение характеристик переключения при увеличении как постоянной составляющей обратного смещения, так и скорости нарастания приложенного импульса напряжения для структур с толстой базой. Достигнута скорость переключения одиночной структуры 42.7 кВ/нс.