RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 6, страницы 333–340 (Mi phts6761)

Физика полупроводниковых приборов

Физическое обоснование предела временно́го разрешения кремниевых планарных детекторов длиннопробежных тяжелых ионов

В. К. Еремин, Н. Н. Фадеева, Е. М. Вербицкая, И. В. Еремин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлена модель истекания тока из плазмы трека длиннопробежного тяжелого иона, воздействующего на кремниевый $p^+$$n$$n^+$-детектор. На ее основе получено аналитическое описание процесса и выполнена его численная симуляция. Результаты по пространственно-временно́й трансформации электрического поля и концентрации носителей в плазме $N_{pl}$ и форме токового сигнала показывают хорошее количественное соответствие данных расчета и симуляции. Время нарастания токового сигнала не лимитировано процессом истекания носителей из плазмы и контролируется временем создания трека в единицы пс, что определяет физический предел временно́го разрешения детектора при регистрации длиннопробежных ионов. Спад сигнала содержит две компоненты – быструю поляризационную, связанную с образованием слоев с высокой напряженностью электрического поля вблизи $p^+$- и $n^+$-контактов, длительность которой уменьшается от 480 до 100 пс при увеличении $N_{pl}$ от 1 $\cdot$ 10$^{15}$ до 1 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$, и медленную релаксационную, обусловленную истощением электронно-дырочной плазмы в треке.

Ключевые слова: кремниевый детектор, длиннопробежные ионы, поляризация, временно́е разрешение.

Поступила в редакцию: 06.05.2024
Исправленный вариант: 16.08.2024
Принята в печать: 26.08.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.06.58948.6643



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025