Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)

Выполнено исследование влияния условий формирования кристаллической фазы нитрида кремния на кинетику процесса в результате контролируемой нитридизации реконструированной поверхности Si(111) (7$\times$7) при варьировании температуры подложки в диапазоне 700–800$^\circ$C. Из анализа дифракционных картин, полученных методом дифракции быстрых электронов на отражение, установлено, что кинетика образования двумерной кристаллической фазы (8$\times$8) в диапазоне температур 700–800$^\circ$C отличается от скорости высокотемпературной нитридизации и проявляет классическое активационно-реакционное поведение, свидетельствующее о наличии активационного барьера. Определен активационный барьер 0.6 эВ, связанный с теплотой образования подвижного атома кремния из адатомов структуры (7$\times$7), участвующего в образовании кристаллической фазы SiN (8$\times$8) на упорядоченной кремниевой сверхструктуре (7$\times$7) и предложена кинетическая схема процесса.