RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 7, страницы 365–369 (Mi phts6765)

XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Электронная структура янусовских слоев на основе Ti$_{1-y}$Cr$_y$(Se$_{1-x}$S$_x$)$_2$

Д. В. Беляевa, Ю. Е. Коваленкоa, А. А. Титовa, В. А. Голяшовbc, О. Е. Терещенкоbc, Р. Г. Чумаковd, А. Н. Титовa, Т. В. Кузнецоваae

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 620137 Екатеринбург, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, 630559 р. п. Кольцово, Россия
d Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
e Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Впервые синтезированы монокристаллы Ti$_{0.9}$Cr$_{0.1}$(Se$_{0.8}$S$_{0.2}$)$_2$ и Ti$_{0.85}$Cr$_{0.15}$(Se$_{0.8}$S$_{0.2}$)$_2$ методом газотранспортных реакций. Структурная и фазовая чистота полученных монокристаллов исследована методом порошковой рентгеновской дифракции. Химический состав синтезированных образцов, определен методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии на сканирующем электронном микроскопе. Исследование электронной структуры выполнено методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. При увеличении концентрации Cr наблюдается уменьшение заполнения зоны проводимости и уменьшение массы дырок. Также наблюдается отсутствие бездисперсионной полосы, что свидетельствует об отсутствии интеркаляции металла в межслоевое пространство.

Ключевые слова: янусовские структуры, фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением, дихалькогениды переходных металлов.

Поступила в редакцию: 19.04.2024
Исправленный вариант: 16.10.2024
Принята в печать: 16.04.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.07.59179.6333H



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025