Фазовый переход $\beta\Longleftrightarrow\beta'$ с температурным гистерезисом в пленках In$_2$Se$_3$

Измерены температурные зависимости спектров комбинационного рассеяния света для пленки In$_2$Se$_3$ в процессе охлаждения до температуры жидкого азота и последующего нагрева до комнатной температуры. Спектры комбинационного рассеяния света демонстрируют изменения, соответствующие обратимому фазовому переходу $\beta$-In$_2$Se$_3\Longleftrightarrow\beta$-In$_2$Se$_3$ с гистерезисом в диапазоне 140–180 K, обнаруженному ранее по изменению атомной структуры поверхности и сопротивления пленки в 10$^4$ раз. Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением зарегистрированы изменения зонной структуры пленки, соответствующие данному фазовому переходу.