Локальное легирование монослойного WSe$_2$ на пьезоэлектрических подложках GaInP$_2$ и GaN

Показано бесконтактное локальное легирование монослойного WSe$_2$, перенесенного на пьезоэлектрические эпитаксиальные структуры на основе InP/GaInP$_2$ и GaN, имеющие вариации поверхностного потенциала амплитудой $\sim$0.1 В и размером $\sim$0.2–1 мкм. Используя измерения поверхностного потенциала с помощью сканирующей зондовой микроскопии, а также измерения оптического отражения, фотолюминесценции и рамановской спектроскопии мы наблюдали вариации интенсивности излучения заряженного экситона (триона) и интенсивности рамановского рассеяния света на оптическом фононе, обусловленные вариациями поверхностного потенциала монослоев WSe$_2$, что указывает на локальное легирование на уровне $n\sim$10$^{12}$ см$^{-2}$. Наши результаты могут быть использованы для создания вигнеровских квантовых точек в дихалькогенидах переходных металлов, что перспективно для реализации помехоустойчивых топологических квантовых вычислений при комнатной температуре и без магнитного поля.