RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 4, страницы 754–756 (Mi phts678)

Краткие сообщения

Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого раствора Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As : Si

А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, Б. С. Явич




© МИАН, 2024