RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 4,
страницы
754–756
(Mi phts678)
Краткие сообщения
Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого раствора Al
$_{0.3}$
Ga
$_{0.7}$
As : Si
А. Г. Машевский
,
М. А. Синицын
,
О. М. Федорова
,
Б. С. Явич
Полный текст:
PDF файл (439 kB)
©
МИАН
, 2024