Взаимодействие карбида кремния с расплавом кремния, образующимся в условиях прямого сращивания эпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с пластинами 6H-SiC

Приводятся результаты исследования процессов, протекающих на межфазных границах в условиях переноса эпитаксиальных слоев кубического политипа 3C-SiC с подложек Si на пластины 6H-SiC методом прямого сращивания. Показано, что сращивание обеспечивается за счет формирования промежуточного слоя кремниевого расплава, источником которого служит кремниевая подложка, входящая в состав структур 3C-SiC/Si. Выявлены эффекты взаимодействия SiC с расплавом Si, c учетом которых определены требования к свойствам исходных материалов с конечной целью получения структур 3C-SiC/6H-SiC, которые могут быть использованы в качестве подложек для проведения гомополитипной эпитаксии 3C-SiC сублимационным методом.