RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 9, страницы 505–512 (Mi phts6791)

Электронные свойства полупроводников

Анизотропия поляризации межзонной фотолюминесценции в $n$-InAs, индуцированная электрическим полем

Р. Б. Адамов, М. Я. Винниченко, Н. Ю. Харин, Д. А. Караулов, Д. А. Фирсов

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассчитана степень линейной поляризации межзонной фотолюминесценции в кристалле InAs, легированном донорами, в электрическом поле. Анизотропия поляризации возникает благодаря анизотропии функции распределения электронов по состояниям в импульсном пространстве, связанной с дрейфом электронов в электрическом поле, и зависимости оптических матричных элементов от угла между вектором поляризации и волновым вектором электрона. Использовалась квазиравновесная функция распределения, сдвинутая в пространстве скоростей. Температура электронов определялась из уравнения баланса мощности. В расчете скорости потерь энергии горячими электронами учитывался эффект накопления неравновесных фононов. Непараболичность зоны проводимости учитывалась с помощью кейновского закона дисперсии.

Ключевые слова: анизотропия функции распределения, межзонная фотолюминесценция, анизотропия поляризации, электронная температура.

Поступила в редакцию: 30.09.2024
Исправленный вариант: 07.11.2024
Принята в печать: 07.11.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.09.59312.7123



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025