RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 529–532 (Mi phts6794)

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)

В. В. Андрюшкинa, И. И. Новиковa, А. Г. Гладышевa, А. В. Бабичевa, В. Н. Неведомскийb, Д. С. Папылевa, Е. С. Колодезныйa, Л. Я. Карачинскийa, А. Ю. Егоровc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования влияния расположения и химического состава квантовых ям InGaAs в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs на оптические свойства квантовых точек InGaP(As), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора мышьяком в слое InGaP в процессе эпитаксиального роста. Показано, что длинноволновый сдвиг максимума фотолюминесценции массива квантовых точек наблюдается при использовании квантовой ямы InGaAs в качестве покрывающего слоя, однако, использование квантовой ямы InGaAs в качестве поверхности формирования квантовых точек InGaP(As) не приводит к сдвигу длины волны максимума фотолюминесценции. Увеличение мольной доли InAs в покрывающем слое InGaAs с 0.17 до 0.23 приводит к длинноволновому сдвигу максимума спектра фотолюминесценции массива квантовых точек на 108 нм.

Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовые точки, гетероструктура, полупроводники.

Поступила в редакцию: 02.05.2024
Исправленный вариант: 30.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.10.59373.6448A



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025