Физика и техника полупроводников,
2024, том 58, выпуск 10,страницы 541–543(Mi phts6797)
Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH$_3$)$_3$As в качестве источника мышьяка
Аннотация:
Рассмотрена перспектива применения триметиларсина в качестве альтернативного источника атомов мышьяка в металлорганической газофазной эпитаксии арсенид-фосфидных твердых растворов. На примере InAs$_y$P$_{1-y}$ показано, что при использовании триметиларсина концентрация мышьяка в твердой фазе испытывает меньшее влияние флуктуаций параметров роста (состава газовой смеси), чем при использовании стандартного источника мышьяка – арсина.