RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 541–543 (Mi phts6797)

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH$_3$)$_3$As в качестве источника мышьяка

К. А. Гаврилов, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 19402 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрена перспектива применения триметиларсина в качестве альтернативного источника атомов мышьяка в металлорганической газофазной эпитаксии арсенид-фосфидных твердых растворов. На примере InAs$_y$P$_{1-y}$ показано, что при использовании триметиларсина концентрация мышьяка в твердой фазе испытывает меньшее влияние флуктуаций параметров роста (состава газовой смеси), чем при использовании стандартного источника мышьяка – арсина.

Ключевые слова: МОГФЭ, триметиларсин, TMAs, твердые растворы, эпитаксия.

Поступила в редакцию: 03.05.2024
Исправленный вариант: 02.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.10.59376.6592A



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025