RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 314–321 (Mi phts68)

Неупругое междолинное рассеяние в полупроводниках и характерные времена релаксации: размерный эффект в проводимости тонких пластин

Н. А. Прима

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: В случае неупругого междолинного рассеяния на фононе с энергией $\hbar\omega_{0}$ и квазиупругого внутридолинного определены времена релаксации неравновесности носителей тока по долинам $\tau_{\text{м}}$ и энергии $\tau_{\varepsilon}$ непосредственно из решения кинетических уравнений. Использован метод поиска решений в виде разложения по собственным функциям квазиупругого оператора. Для размерного эффекта в проводимости найден спектр полного кинетического оператора столкновений по теории возмущений для слабого и численно для сильного междолинного рассеяния. Показано, что правильно вычисленное междолинное время в полупроводнике типа $n$-Si в несколько раз больше, а время релаксации энергии меньше своего феноменологического значения.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 04.06.1985
Принята в печать: 30.09.1985



© МИАН, 2024