Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As

Методом рамановской спектроскопии исследованы литографические рисунки, сформированные сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в гетероструктуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As. Было обнаружено, что в ходе травления происходит накопление радиационных дефектов, концентрация которых зависит от энергии ионов и ионной дозы. Показано, что выбор режимов травления и отжига позволяют восстанавливать кристаллическое совершенство гетероструктуры.