RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 569–572 (Mi phts6804)

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон

А. В. Уваровa, В. А. Поздеевab, Е. А. Вячеславоваa, А. А. Максимоваab, А. И. Барановa, А. С. Гудовскихab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты формирования гибридных солнечных элементов на основе гетероструктуры PEDOT:PSS/Si на поверхности подложек с массивом вертикально-ориентированных кремниевых волокон. Исследовано влияние концентрации поверхностно-активного вещества Triton X-100 на равномерность покрытия массива вертикально-ориентированных кремниевых волокон и фотоэлектрические параметры солнечных элементов. По результатам измерения растровой электронной микроскопии полученных структур показано качественное улучшение покрытия массива кремниевых волокон слоем PEDOT:PSS путем добавления поверхностно-активного вещества. Избыточная концентрация поверхностно-активного вещества приводит к ухудшению фотопреобразовательных свойств солнечных элементов на основе гетероструктуры PEDOT:PSS/Si.

Ключевые слова: PEDOT:PSS, Si, солнечные элементы, гетероструктуры.

DOI: 10.61011/FTP.2024.10.59383.6610A



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025