RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 573–576 (Mi phts6805)

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах

А. Д. Малевская, М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Д. А. Малевский, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена усовершенствованная трехпараметрическая модель для расчета вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей. Модель основана на разбиении фотоэлектрических преобразователей на трубки тока, каждая из которых содержит $p$$n$-переход и три сопротивления – вертикальное, латеральное и введенное дополнительно. Для определения параметров модели используются темновые ВАХ и карты электролюминесценции, полученные при пропускании тока через край верхней контактной сетки фотоэлектрических преобразователей. При помощи модели проведен анализ экспериментальных характеристик двух Ga$_{0.79}$In$_{0.21}$As-фотоэлектрических преобразователей с различной геометрией токосборной шинки и показано, что модель позволяет описывать экспериментальные вольт-амперные характеристики и определять параметры, характеризующие качество контактной сетки.

Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, солнечные элементы, сопротивление растекания, сопротивление контактов.

Поступила в редакцию: 03.05.2024
Исправленный вариант: 11.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.10.59384.6619A



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025